本報上海4月20日電（記者顏維琦）“在一眨眼的時間內(nèi)，超級閃存已經(jīng)工作10億次，而原來的U盤只能工作1000次。相當于光在走了12厘米的時間里，幾千個電子已經(jīng)儲存完畢?！苯?，復旦大學周鵬、劉春森團隊成功研制“破曉（PoX）”皮秒（1皮秒為1萬億分之一秒）閃存器件，擦寫速度達到亞1納秒（400皮秒），是人類目前掌握的最快半導體電荷存儲器件。相關成果發(fā)表于國際期刊《自然》。

　　從遠古時代結繩記事開始，人類對信息存儲速度的追求從未止步。隨著科技不斷發(fā)展，電荷被證明是最佳存儲媒介，能夠以驚人的速度和卓越的可靠性承載海量數(shù)據(jù)，為信息時代的繁榮奠定堅實基礎。然而，隨著人工智能時代到來，計算范式正從傳統(tǒng)的邏輯運算逐漸轉向數(shù)據(jù)驅(qū)動，現(xiàn)有的分級存儲架構難以滿足計算芯片對極高算力和能效的需求，亟須存儲技術的突破來實現(xiàn)變革。針對AI（人工智能）計算所需的算力與能效要求，信息存取速度直接決定了算力上限，非易失性存儲技術成為實現(xiàn)超低功耗的關鍵。因此，破局在于解決集成電路領域最為關鍵的基礎科學問題：信息的非易失存取速度極限。

　　據(jù)了解，目前速度最快的存儲器均為易失性存儲器，例如靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存儲器（DRAM）。這類存儲器的速度極限約為3T（即晶體管開關時間的三倍，低于1納秒，1納秒為十億分之一秒），代表了當今信息存取速度的最高水平。然而，其斷電后數(shù)據(jù)丟失的特性限制了其在低功耗場景下的應用。相比之下，以閃存（Flash）為代表的非易失性存儲器雖然具備極低功耗優(yōu)勢，但由于其電場輔助編程速度遠低于晶體管開關速度，難以滿足AI計算對數(shù)據(jù)極高速存取的需求。

　　周鵬、劉春森團隊基于器件物理機制的創(chuàng)新，持續(xù)推進高速非易失性閃存技術的研發(fā)。團隊構建相關模型，據(jù)此研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件，其性能超越同技術節(jié)點下世界最快的易失性存儲SRAM技術，意味著現(xiàn)有存儲技術邊界被重新定義。

　　業(yè)內(nèi)專家分析，閃存作為性價比最高、應用最廣泛的存儲器，一直是國際科技巨頭技術布局的基石。復旦大學團隊研發(fā)的突破性高速非易失閃存技術不僅有望改變?nèi)虼鎯夹g格局，進而推動產(chǎn)業(yè)升級并催生全新應用場景，也將為我國在相關領域?qū)崿F(xiàn)技術引領提供有力支撐。